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Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie auf Silizium, aber trotzdem nicht trivial. Zufällig stellten Entwickler bei SweGaN fest, dass ihre GaN-on-SiC-Transistoren dreimal höhere Feldstärken verkraften, als erwartet. Nun wissen sie, warum.

Toyota

Kinto als neue Marke für Mobilitätsdienste in Europa

Unter dem Namen Kinto startet Toyota in Europa eine neue Marke für...

LaneCharge

Load E-Taxies without Cable

Using taxi waiting times as loading time - that is the goal of the research project...

US Government

TSMC to Build Fab in USA

The USA urges TSMC to build its own factory for the production of ICs for military use...

Neue MEMS-Mikrospiegel-Arrays

Tiefe Einblicke für Roboter und Autos

MEMS-Mikrospiegel-Arrays erkennen Materialien, Roboter und Autos können mit ihnen ihre...

LED-Scheinwerfer

LED-Familie Oslon Boost wird kompakter

Mit der neuen LED-Version im Keramikgehäuse sollen Entwickler schlankere...

Klein, robust, anschlussfreudig

Pico-ITX für die Industrie

Fortec nimmt den neuen Pico-ITX-Single-Board-Computer (SBC) MIO-2361 von Advantech ins...

embedded world technical backgrounder

Embedded Hardware: Standards do not solve all problems

What are the hot topics at the embedded world Conference 2020? - Members of the...

Anritsu und dSpace

5G-Mobilfunk schneller ins Auto bringen

Anritsu und dSpace möchten zusammen Simulation und Test von 5G-Anwendungen im...

Überspannungsschutz und Anschlusstechnik

LED-Beleuchtungssysteme werden zum Dauerbrenner

Vorteile der LED-Technik sind Energieeffizienz und Langlebigkeit. Jedoch reagieren...